[发明专利]一种封装有集成电路的场效应晶体管

权利要求书

1.一种封装有集成电路的场效应晶体管，其特征在于，包括N型基板(10)，所述N型基板(10)的上下两侧分别设有N型主体(11)和漏极金属层(12)，所述N型主体(11)远离所述漏极金属层(12)的一侧设有源极金属层(20)；

所述N型主体(11)的顶部设有间隔的第一P型掺杂区(30)和第二P型掺杂区(40)，所述第一P型掺杂区(30)和所述第二P型掺杂区(40)均向所述N型主体(11)的内部延伸，所述第一P型掺杂区(30)的顶部设有第一N型掺杂区(31)，所述第一N型掺杂区(31)向所述第一P型掺杂区(30)的内部延伸，所述第二P型掺杂区(40)的顶部设有第二N型掺杂区(41)，所述第二N型掺杂区(41)向所述第二P型掺杂区(40)的内部延伸，所述N型主体(11)的顶部还设有若干位于第一P型掺杂区(30)和所述第二P型掺杂区(40)之间的P型注入区(50)，所述P型注入区(50)向所述N型主体(11)的内部延伸，所述第一P型掺杂区(30)、所述第二P型掺杂区(40)、所述第一N型掺杂区(31)、所述第二N型掺杂区(41)和所述P型注入区(50)的顶面均贯穿所述N型主体(11)的顶面；

所述源极金属层(20)的底部设有间隔的第一绝缘层(60)和第二绝缘层(70)，所述第一绝缘层(60)上设有第一栅极层(61)，所述第二绝缘层(70)上设有第二栅极层(71)，所述第一绝缘层(60)和所述第一栅极层(61)外设有第一介电区(62)，所述第二绝缘层(70)和所述第二栅极层(71)外设有第二介电区(72)，所述第一介电区(62)和所述第二介电区(72)均向所述源极金属层(20)内部延伸，所述第一介电区(62)和所述第二介电区(72)之间形成有间隙(80)，所述第一介电区(62)和所述第二介电区(72)连接于所述P型注入区(50)的顶部两端，所述间隙(80)中的所述源极金属层(20)与所述间隙(80)下方的所述N型主体(11)之间形成肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的一种封装有集成电路的场效应晶体管，其特征在于，所述第一N型掺杂区(31)的顶部设有第一P型富集区(32)，所述第二N型掺杂区(41)的顶部设有第二P型富集区(42)，所述第一P型富集区(32)向所述第一N型掺杂区(31)的内部延伸至所述第一P型掺杂区(30)中，所述第二P型富集区(42)向所述第二N型掺杂区(41)的内部延伸至所述第二P型掺杂区(40)中。

3.根据权利要求1所述的一种封装有集成电路的场效应晶体管，其特征在于，所述N型基板(10)为碳化硅衬底，所述N型主体(11)为碳化硅外延层。

4.根据权利要求1所述的一种封装有集成电路的场效应晶体管，其特征在于，所述漏极金属层(12)和所述源极金属层(20)均为铝层。

5.根据权利要求1所述的一种封装有集成电路的场效应晶体管，其特征在于，所述第一P型掺杂区(30)、所述第二P型掺杂区(40)和所述P型注入区(50)均为铝的P型掺杂层。

6.根据权利要求1所述的一种封装有集成电路的场效应晶体管，其特征在于，所述第一N型掺杂区(31)和所述第二N型掺杂区(41)均为氮的N型掺杂层或磷的N型掺杂层。

7.根据权利要求1所述的一种封装有集成电路的场效应晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层(60)和所述第二绝缘层(70)均为二氧化硅层。

8.根据权利要求1所述的一种封装有集成电路的场效应晶体管，其特征在于，所述第一栅极层(61)和所述第二栅极层(71)均为多晶硅层。

9.根据权利要求1所述的一种封装有集成电路的场效应晶体管，其特征在于，所述第一介电区(62)和所述第二介电区(72)均为二氧化硅层。