[发明专利]具有应力调节的MEMS传感器芯片封装结构与方法有效
| 申请号： | 202110136443.3 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112938888B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 裘安萍;施芹;赵阳;夏国明 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 汪清 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有应力调节的MEMS传感器封装结构与方法，封装结构在MEMS传感器芯片衬底底部粘接有过渡片，过渡片底部镀有金层，金层图像关于MEMS传感器芯片结构中心对称；过渡片与管壳底部之间设有金锡焊层；芯片盖板上粘接有应力调节片，用于补偿MEMS工艺产生的残余应力，将MEMS传感器结构上的应力调节至合理值，使得MEMS传感器输出的温度系数在零附近，采用金锡焊工艺将过渡片粘接在管壳内，减小了封装应力对MEMS传感器敏感结构的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 调节 mems 传感器 芯片 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学，未经南京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110136443.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
