[发明专利]光谱芯片的制备方法和光谱芯片有效

专利信息
申请号: 202110135606.6 申请日: 2021-02-01
公开(公告)号: CN112510059B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 覃秋军;王宇;黄志雷 申请(专利权)人: 北京与光科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L27/148;H01S5/028
代理公司: 北京唐颂永信知识产权代理有限公司 11755 代理人: 刘伟
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 公开了一种光谱芯片的制备方法和光谱芯片。所述制备方法包括:提供一转移件和一光谱芯片半成品,其中,所述转移件包括硅晶体层和形成于所述硅晶体层上的硅化物层,所述硅晶体层具有规则的晶向结构;在所述光谱芯片半成品的表面形成一可透光介质层;以所述转移件的所述硅化物层键合于所述光谱芯片半成品的所述可透光介质层的方式,将所述转移件耦接于所述光谱芯片半成品,以形成具有光调制结构的所述光谱芯片。这样,以如上所述的特定制备方法制得的所述光谱芯片的表面可以形成具有规则晶向结构的光学层结构,所述光学层结构具有对成像光线进行调制的作用。
搜索关键词: 光谱 芯片 制备 方法
【主权项】:
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