[发明专利]一种InP晶体生长设备及InP晶体生长方法在审
| 申请号： | 202110124000.2 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112725897A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 罗福敏;柯尊斌;王卿伟 | 申请（专利权）人： | 中锗科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/02;C30B25/16 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 李建芳 |
| 地址： | 211299 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InP晶体生长设备及InP晶体生长方法。一种InP晶体生长设备，包括炉体、法兰盖、真空泵和连接管；法兰盖活动连接在炉体顶部，法兰盖与炉体顶部之间设有两道以上的密封圈；法兰盖上设有气孔和观察管；连接管一端与气孔顶部对接连通、另一端设有球阀，真空泵通过管路与连接管的侧壁连通；观察管一端位于法兰盖外侧、另一端穿过法兰盖伸入炉体内；法兰盖内侧中央位置设有可拆卸的籽晶盘；炉体自底部起沿高度方向依次分割为第一温区、第二温区和第三温区；炉体侧壁包括从内到外依次相接的反应釜、保温层、加热层、隔热层和外壳。上述设备，方便观察反应釜内晶体生长情况，保温隔热效果好，密封好，降低了晶体的位错密度，提高了均匀性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp 晶体生长 设备 方法 | ||
【主权项】：
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