[发明专利]一种半导体测试结构和测试方法有效
| 申请号： | 202110123244.9 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112908883B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 肖华;朱正鹏 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种半导体测试结构和测试方法，包括：第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构；其中，所述第一测试结构包括场效应晶体管和第一金属结构；所述第一金属结构包括n个与所述掺杂区连接的接触插塞以及与所述接触插塞连接的金属层，n为大于2的正整数；所述第二测试结构包括场效应晶体管和第二金属结构；所述第二金属结构包括两个与所述掺杂区连接的接触插塞以及与所述接触插塞连接的金属层；所述第三测试结构包括场效应晶体管和第三金属结构；所述第三金属结构包括位于所述场效应晶体管上方的金属层；所述场效应晶体管包括衬底、形成于所述衬底表面的栅极结构、以及形成于所述栅极结构两侧的衬底内的掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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