[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 202110117220.2 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112909169B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 吴宏旻;丁裕生 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李建忠;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括衬底，衬底中形成有电容结构，电容结构包括下极板、介质层、上极板以及保护层，下极板位于衬底上；介质层覆盖在下极板的表面；上极板覆盖介质层；保护层形成在上极板平行于衬底的表面。通过在上极板的上表面形成的保护层能够改善电容结构的电阻性能，以此改善半导体结构的使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110117220.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：p-n-KNbO
- 下一篇：一种沥青公路自动灌缝机
