[发明专利]GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法和全息光盘有效
| 申请号： | 202110085034.5 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112885417B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 谭小地;陈宇昕;吴天敏 | 申请（专利权）人： | 福建师范大学 |
| 主分类号： | G16C60/00 | 分类号： | G16C60/00;G11B7/241 |
| 代理公司： | 天津盈佳知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12224 | 代理人： | 孙宝芸 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种GO掺杂PQ‑PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法和全息光盘，GO掺杂PQ‑PMMA光致聚合物全息存储材料各组分原料重量比：MMA：100wt％，AIBN：1wt％，PQ：1.3wt％，NMP：3wt％，GO：0.0015wt％；其制备成本较低，具备良好的偏振选择性和偏振敏感度，且所制备材料厚度精准可控但光致收缩却可忽略不计；该新型光致聚合物材料具有优异衍射效率和折射率调制度，适合作为全息成像及数据存储领域应用中所需的核心记录材料，可显著提升信息存储容量，在同轴偏光全息信息存储中具有广阔的应用前景；此外，该材料良好的光学特性使其在传统体全息记录领域也颇具应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | go 掺杂 pq pmma 聚合物 全息 存储 材料 及其 制备 方法 光盘 | ||
【主权项】：
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