[发明专利]GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法和全息光盘

权利要求书

1.GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料，其特征在于，其各组分原料的重量比为：MMA：100wt％，AIBN：1wt％，PQ：1.3wt％，NMP：3wt％，GO：0.0015wt％。

2.如权利要求1所述的GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将单层氧化石墨烯纳米片加入到NMP中形成混合溶液，经超声分散，然后将所述混合溶液分散后形成的分散液转移至离心管中，通过所述离心管离心去除溶液中未分散的GO，将离心后的所述分散液按比例加入到MMA的溶液中，并经超声混合；

按比例称量AIBN和PQ，加入经超声混合的溶液，将所述溶液经超声振荡进行混合，得到具有感光剂的溶液；

将具有感光剂的溶液放入恒温磁力搅拌器中，在水浴中进行搅拌，得到具有粘稠度的胶体溶液；

将所述胶体溶液注入带有聚四氟乙烯的玻璃密封模具中，烘烤反应后取出，并冷却，使其停止聚合并脱模，制得片状材料。

3.如权利要求2所述的GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，将单层氧化石墨烯纳米片加入到NMP中形成混合溶液，经超声分散的时间为1～2小时。

4.如权利要求2所述的GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，按比例称量AIBN和PQ，加入经超声混合的溶液，将所述溶液经超声振荡进行混合的时间为30～60分钟。

5.如权利要求2所述的GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，得到具有感光剂的溶液中，所述感光剂PQ的含量为1.3wt％。

6.如权利要求2所述的GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，将具有感光剂的溶液放入恒温磁力搅拌器中，进行水浴的温度为55～60℃。

7.如权利要求6所述的GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，将具有感光剂的溶液放入恒温磁力搅拌器中，进行水浴并搅拌的搅拌转速为600～1000转/分钟。

8.如权利要求7所述的GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，将具有感光剂的溶液放入恒温磁力搅拌器中，进行水浴并搅拌的时间为1～2小时。

9.如权利要求2所述的GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，将所述胶体溶液注入带有聚四氟乙烯的玻璃密封模具中，烘烤聚合的时间为20～24小时。

10.全息光盘，其特征在于，所述全息光盘采用如权利要求1所述的GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料制成。