[发明专利]晶体管特性、电子电路特性的仿真方法、非暂时性记录介质

摘要

提供了一种晶体管特性、电子电路特性的仿真方法、非暂时性记录介质，所述晶体管包括半导体层和栅极，所述半导体层包括：彼此分离的源极和漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道，所述栅极面向所述半导体层的沟道，所述方法包括：基于泊松方程以及基于电荷中性定律计算热平衡陷阱电荷密度Q’T的过程(a)；在所述栅极和所述半导体层之间施加电压后计算所述瞬态陷阱电荷密度qT的过程(b)；基于所述瞬态陷阱电荷密度qT计算自由载流子电荷密度qI的过程(c)；基于所述自由载流子电荷密度qI计算在所述源极和所述漏极之间流动的漏极电流Id的过程(d)。