[发明专利]一种功率半导体器件在审
| 申请号： | 202110079719.9 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112885785A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘家宝 | 申请（专利权）人： | 刘家宝 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/488;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/467 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 233300 安徽省蚌*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件，包括功率半导体器件主体，功率半导体器件主体的侧端面设置有接线槽，两组接线槽位于功率半导体器件主体的两侧顶部，接线槽的侧端面设置有引脚内芯，引脚内芯的外端套设有防护陶瓷方管，防护陶瓷方管与接线槽之间设置有隔热垫，功率半导体器件主体的上端面开设有散热槽，散热槽内设置有散热薄膜。本发明通过防护陶瓷方管套在引脚内芯的外端面，避免造成引脚内芯之间短路，同时提升了引脚内芯的焊接质量，通过防护陶瓷方管将功率半导体器件主体撑起，使功率半导体器件与电路板之间留有间隙，在功率半导体器件主体上端铺设石墨烯膜，提升了功率半导体器件主体的散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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