[发明专利]一种三维存储器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202110067317.7 申请日: 2021-01-19
公开(公告)号: CN112786613B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 张强威;许宗珂;袁彬 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H10B43/35 分类号: H10B43/35;H10B43/27
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 高园园
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种三维存储器,包括堆叠结构、第一栅线切口、第二栅线切口、第一虚设结构、接触结构及第二虚设结构,其中,堆叠结构在水平方向上划分为核心区域与台阶区域;第一栅线切口与第二栅线切口平行排列并往第一水平方向延伸,第一虚设结构、接触结构及第二虚设结构位于台阶区域并在第二水平方向上依次排列。本发明中,虚设结构采用长条沟槽型设计,虚设结构之间的空间较小,可以保证虚设结构稳固的支撑功能。虚设结构与接触结构上下错开,以及虚设结构面对接触结构的区域采用缩进渐变设计,可以同时增加接触结构与虚设结构在两个方向上的对准偏移窗口。直线排列的虚设结构避免了之字形排列对栅线切口的影响,有利于降低栅线切口的工艺难度。
搜索关键词: 一种 三维 存储器 及其 制作方法
【主权项】:
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