[发明专利]一种氮化硼纳米片@碳化硅纳米线异质填料及制备方法和环氧树脂导热复合材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 202110066640.2 申请日: 2021-01-19
公开(公告)号: CN112759790B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 顾军渭;韩懿鑫;郭永强 申请(专利权)人: 西北工业大学深圳研究院
主分类号: C08K3/38 分类号: C08K3/38;C08K3/34;C08L63/00
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 赵晓琳
地址: 518051 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及纳米材料技术领域,提供了一种氮化硼纳米片@碳化硅纳米线异质填料的制备方法。本发明通过原位生长法在氮化硼纳米片上原位生长碳化硅纳米线,构筑制备“鸟巢状”异质结构,这种特殊形貌的异质结构使其在作为导热填料使用时,更易在环氧树脂基体中搭接形成高效的导热通路,可以在添加少量填料的情况下提高环氧树脂的导热性能;同时导热填料之间基于化学键合作用也有效避免更多界面热障的引入和导热填料团聚现象的发生,可以进一步提高环氧树脂的导热性能。实验结果表明,本发明提供的方法制备的氮化硼纳米片@碳化硅纳米线异质填料与环氧树脂复合得到的导热复合材料的热导率高达1.17W/mK,能够大幅度地提高环氧树脂的热导率。
搜索关键词: 一种 氮化 纳米 碳化硅 线异质填 料及 制备 方法 环氧树脂 导热 复合材料
【主权项】:
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