[发明专利]纳米晶石墨/硼掺杂金刚石复合材料的制备和用途有效

专利信息
申请号: 202110059884.8 申请日: 2021-01-18
公开(公告)号: CN112899640B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 李红东;崔政;张秋霞;王鹏;袁晓溪;刘钧松;成绍恒;王启亮 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/511;G01N27/48
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 王恩远
地址: 130012 吉林省长春市*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明纳米晶石墨/硼掺杂金刚石复合材料的制备和用途,属于功能复合结构及其制备和应用的技术领域。本发明的技术方案是采用CVD法一步生长纳米晶石墨/硼掺杂金刚石(NG/BDD)复合电极,并将其作为电化学电极,检测痕量分子。NG的形成是在较高温度下,在B掺杂的作用下使金刚石(111)面表面发生重构而成。本发明BDD的(111)面形成大量NG,增加导电性,提升对检测物质的吸附提高电化学电极的检测灵敏度,可检测多种痕量化学和生物分子。本发明电极制备工艺简单,便于大规模制备,并对金刚石传感器在检测低浓度和痕量化学和生物分子具有重要意义。
搜索关键词: 纳米 晶石 掺杂 金刚石 复合材料 制备 用途
【主权项】:
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