[发明专利]纳米晶石墨/硼掺杂金刚石复合材料的制备和用途有效
申请号: | 202110059884.8 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN112899640B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 李红东;崔政;张秋霞;王鹏;袁晓溪;刘钧松;成绍恒;王启亮 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/511;G01N27/48 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 王恩远 |
地址: | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明纳米晶石墨/硼掺杂金刚石复合材料的制备和用途,属于功能复合结构及其制备和应用的技术领域。本发明的技术方案是采用CVD法一步生长纳米晶石墨/硼掺杂金刚石(NG/BDD)复合电极,并将其作为电化学电极,检测痕量分子。NG的形成是在较高温度下,在B掺杂的作用下使金刚石(111)面表面发生重构而成。本发明BDD的(111)面形成大量NG,增加导电性,提升对检测物质的吸附提高电化学电极的检测灵敏度,可检测多种痕量化学和生物分子。本发明电极制备工艺简单,便于大规模制备,并对金刚石传感器在检测低浓度和痕量化学和生物分子具有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 纳米 晶石 掺杂 金刚石 复合材料 制备 用途 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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