[发明专利]含有竖直集成电容器-雪崩二极管结构的集成电路在审
| 申请号： | 202110052433.1 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113192947A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | J·G·斯科鲁兹;K·金 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及含有竖直集成电容器‑雪崩二极管结构的集成电路。公开含有紧凑覆盖区的竖直集成电容器‑雪崩二极管(AD)结构的功率放大器集成电路等集成电路。在实施例中，集成电路包括半导体衬底、金属层系统和竖直集成电容器‑AD结构。金属层系统继而包括电介质材料主体，多个图案化金属层位于电介质材料主体中。竖直集成电容器‑AD结构包括至少部分地由第一图案化金属层的图案化部分形成的第一AD。第一金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器也形成于金属层系统中，并且在沿与半导体衬底的主面正交的竖直轴线截取的情况下，至少部分地与第一AD重叠。在沿竖直轴线截取的情况下，第一AD在表面积上即使不是全部也至少大部分地与第一MIM电容器竖直重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 竖直 集成 电容器 雪崩 二极管 结构 集成电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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