[发明专利]一种低空洞率的倒装LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110038564.4 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112768591A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 范凯平;旷明胜;徐亮;仇美懿;何俊聪 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种低空洞率的倒装LED芯片及其制备方法，所述倒装LED芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极，还包括设于电极上的焊接层、以及设于焊接层上的点测接触层；所述焊接层的材料选用Au和Sn，Au和Sn的质量百分比为(15％～30％)：(70％～85％)；其中，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/Au叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/AuSn叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层Au |
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| 搜索关键词： | 一种 空洞 倒装 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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