[发明专利]闪存磨损方法、装置、可读存储介质及电子设备有效
| 申请号： | 202110034314.3 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112817521B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;童海涛 | 申请（专利权）人： | 成都佰维存储科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02;G11C16/34 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 欧阳燕明 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了闪存磨损方法、装置、可读存储介质及电子设备，在每一闪存块写入数据的时候，对每一闪存块中每一页写入对应的预设固定值，在现有技术中通常往闪存块的每一页中写入随机数据，而本发明将每一页写入对应的预设固定值，能够使每一页处于对应的固定电平值，从而将所有的存储单元写入至一个固定的状态，能够增加闪存的磨损速率，缩短闪存测试前的磨损时间；其中闪存磨损时关闭LDPC编码功能和校正功能，保证后续往闪存写入预设固定数据时不受编码和校正的干扰，从而保证能够往每一页写入固定数值，加速磨损闪存。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 磨损 方法 装置 可读 存储 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
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