[发明专利]一种激光掺杂SE电池图形精度的检测方法有效
| 申请号： | 202110031911.0 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112768365B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 王贵梅;王玉肖;张建军 | 申请（专利权）人： | 晶澳太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 赵越 |
| 地址： | 055550 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种激光掺杂SE电池图形精度的检测方法，包括如下步骤：步骤S1，分别测量待测电池片的激光线PT值、激光线间距值、边距偏移值、对角线差值、激光线的单侧偏移值、激光线的中线偏移值；步骤S2，分别判断上个步骤所测量的六种参数是否满足各自对应的精度要求；所述精度要求是根据SE电池图形的设计尺寸确定的。本申请的方案通过检测激光线的单侧偏移值、激光线的中线偏移值，能够精确地反映所有激光线的分布，在印刷工序之前及时发现SE电池图形异常的硅片，防止精度不够的硅片进入印刷工序从而在印刷对位时造成批量套印不良，有效避免丝网印刷图形与SE图形套印不良品的产生，提高经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 掺杂 se 电池 图形 精度 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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