[发明专利]一种激光掺杂SE电池图形精度的检测方法

说明书

本申请涉及一种激光掺杂SE电池图形精度的检测方法，包括如下步骤：步骤S1，分别测量待测电池片的激光线PT值、激光线间距值、边距偏移值、对角线差值、激光线的单侧偏移值、激光线的中线偏移值；步骤S2，分别判断上个步骤所测量的六种参数是否满足各自对应的精度要求；所述精度要求是根据SE电池图形的设计尺寸确定的。本申请的方案通过检测激光线的单侧偏移值、激光线的中线偏移值，能够精确地反映所有激光线的分布，在印刷工序之前及时发现SE电池图形异常的硅片，防止精度不够的硅片进入印刷工序从而在印刷对位时造成批量套印不良，有效避免丝网印刷图形与SE图形套印不良品的产生，提高经济效益。

技术领域

本申请涉及SE(Selective Emitter，选择性发射极)晶体硅电池生产制造技术领域，具体涉及一种激光掺杂SE电池图形精度的检测方法。

背景技术

SE结构的特点是在接收光照的区域浅扩散形成低掺杂区，而在金属电极下形成高掺杂区域，这种结构的发射极表面少子的复合减少，而金属电极和发射极之间又能形成良好的欧姆接触，从而获得更高的短路电流、开路电压和填充因子，提高太阳电池转换效率。

激光掺杂是制备SE电池的一种有效手段，激光具有能量集中和非接触性等优点，有选择性熔融和扩散的特点。激光掺杂的优点是工艺步骤少，除激光外无需增加其他设备，但需要解决的主要问题是，激光掺杂的工艺控制和丝网印刷二次对位精度要求。为了同时达到减小接触电阻和避免漏电的目的，激光掺杂重掺区域对掺杂均匀性要求较高。

相关技术中，现有的检测方法可以作为激光掺杂有无重大异常的监控，但是不能精确反映所有激光线的分布，无法精确识别激光线掺杂偏移程度。

发明内容

为至少在一定程度上克服相关技术中存在的问题，本申请提供一种激光掺杂SE电池图形精度的检测方法。

根据本申请实施例的第一方面，提供一种激光掺杂SE电池图形精度的检测方法，包括如下步骤：

步骤S1，分别测量待测电池片的激光线PT值、激光线间距值、边距偏移值、对角线差值、激光线的单侧偏移值、激光线的中线偏移值；

步骤S2，分别判断上个步骤所测量的六种参数是否满足各自对应的精度要求；所述精度要求是根据SE电池图形的设计尺寸确定的。

进一步地，所述待测电池片为经过制绒、扩散、湿刻、正面镀氮化硅减反射膜、激光掺杂工序的电池片。

进一步地，所述激光线PT值为：硅片两侧的最外侧激光线之间的距离；

所述激光线间距值包括：任意相邻的两条激光线之间的距离；

所述边距偏移值包括：激光线最外侧与电池片四周边部之间距离的测量值与理论值的差值；

所述对角线差值为：四个定位点所形成的两条对角线的长度之差；

所述激光线的单侧偏移值包括：所有激光线与第一条激光线之间距离的测量值与理论值的差值；所述第一条激光线为待测硅片一侧的起始位置的激光线；

所述激光线的中线偏移值包括：所有激光线与定位点平分线之间距离的测量值与理论值的差值；所述定位点平分线为四个定位点所形成的四边形的平分线。

进一步地，测量待测电池片的激光线PT值，包括如下步骤：

在激光线上选取五个点位，分别在五个点位上测量激光线PT值；

相应地，所述激光线PT值所对应的精度要求为：五个点位的测量值与理论值之间的差值均不超过20微米，且五个点位的测量值中的最大值与最小值之差不超过30微米。

进一步地，所述激光线间距值所对应的精度要求为：测量值与理论值相差不超过30微米。