[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110007964.9 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN114725008A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 何昌儒;蔡高财;陈盈豪 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/66;G03F1/80 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 侯天印;杨丹 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在此提供一种半导体装置的制造方法。此方法包括形成金属层于基板中，且依序形成阻障层及绝缘层于基板上。此方法包括进行第一刻蚀步骤，以形成开口于绝缘层中，且开口并未暴露出阻障层。在第一刻蚀步骤之后，形成间隙填充层于绝缘层上且填满开口。此方法包括进行第二刻蚀步骤，以在间隙填充层中形成与开口连通的第一通孔，并将开口的上部分拓宽而形成沟槽。此方法包括进行第三刻蚀步骤，以移除位于开口的底部的间隙填充层，并加深沟槽及开口的深度。此方法包括在阻障层中形成与开口连通的第二通孔，以暴露出金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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