[发明专利]一种薄层二维材料的制备方法有效
| 申请号： | 202110007651.3 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN112837996B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 王军;毛毓珂;陈赛赛;王桂东;蔡金华 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/24;H01L29/786;H01L29/80;H01L51/05;H01L51/42;H01L51/30;H01L51/46;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 吴文滨 |
| 地址： | 201418 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄层二维材料的制备方法，包括以下步骤：1)在基板上滴加第一溶剂，得到第一溶剂层；2)利用胶带粘黏二维材料，并将粘黏有二维材料的胶带粘贴在含有第一溶剂层的基板上，使二维材料与第一溶剂层接触；3)向胶带下面注入第二溶剂；4)进行热处理；5)剥离胶带，得到粘附于基板上的薄层二维材料。与现有技术相比，本发明制备的薄层二维材料面积大、厚度薄、产率高，而且操作过程简单、无需大型制膜设备，工艺涉及的辅料均为实验室常见常用溶剂，无明显毒性。相比于传统溶剂剥离法，本发明明显提高了获得少层甚至是单层二维材料的概率，提升了制备材料的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄层 二维 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
