[发明专利]静电保护电路及芯片在审
| 申请号： | 202110004426.4 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114725086A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 许杞安 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种静电保护电路及芯片，包括：静电保护模块，位于被保护芯片内部，与被保护电路连接；及控制模块，与所述静电保护模块连接，用于在所述被保护芯片发生静电时向所述静电保护模块输出低电平以触发所述静电保护模块泄放静电电流，并在所述被保护芯片未发生静电时向所述静电保护模块输出高电平以降低所述静电保护模块的静态漏电电流。上述静电保护电路不仅能够对被保护芯片进行静电保护，还能够降低自身的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 电路 芯片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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