[发明专利]溅射沉积在审
| 申请号： | 202080092664.9 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114930496A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | M.伦德尔 | 申请（专利权）人： | 戴森技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34;H01J37/32;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张邦帅 |
| 地址： | 英国威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种溅射沉积设备(100)，包括：远程等离子体产生装置(106)，布置成在溅射沉积区(112)内为靶材料(102)的溅射沉积提供等离子体(120)；限制装置，布置成提供限制磁场以基本上将等离子体限制在所述溅射沉积区中；设置在所述溅射沉积区内的基板(104)；以及一个或多个靶支撑组件(108)，布置成支撑所述溅射沉积区中的一个或多个靶，以便在所述基板上提供靶材料的溅射沉积；其中，所述限制装置将远程等离子体限制到所述靶支撑组件，使得在使用中沉积：作为基板上的第一区域的靶材料；作为基板上的第二区域的靶材料；以及位于所述第一区域和第二区域之间的中间区域，其中没有靶材料。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
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