[发明专利]非易失性存储器模块的错误报告在审

专利信息
申请号: 202080090904.1 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN114902186A 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 詹姆斯·R·马格罗;凯达尔纳特·巴拉里斯南;维拉斯·斯里达兰 申请(专利权)人: 超威半导体公司
主分类号: G06F11/07 分类号: G06F11/07;G06F11/30;G06F11/32;G06F13/16;G06F13/24
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠;张华
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种存储器控制器包括命令队列、存储器接口队列和非易失性错误报告电路。所述命令队列接收包括易失性读取、易失性写入、非易失性读取和非易失性写入在内的存储器访问命令,以及输出。所述存储器接口队列具有耦合到所述命令队列的所述输出的输入,以及用于耦合到非易失性存储类存储器(SCM)模块的输出。所述非易失性错误报告电路识别与所述非易失性SCM模块相关联的错误条件,并将所述错误条件从与所述非易失性SCM模块相关联的第一数量的可能错误条件映射到第二较小数量的虚拟错误类型,以用于报告给主机操作系统的错误监测模块,所述映射至少基于所述错误条件会或不会对运行在所述主机操作系统上的可执行进程产生有害影响的分类。
搜索关键词: 非易失性存储器 模块 错误报告
【主权项】:
暂无信息
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