[发明专利]基板处理方法和基板处理设备在审
申请号: | 202080089711.4 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN114901861A | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 赵一衡;金德镐;黄喆周 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/54;C23C16/52;H01L21/67 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;李少丹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基板处理方法和设备,其被实施使得当气体通过单一供气单元供应到多个室时,不同的气体可以同时供应到多个室,以便提高在多个室中沉积的薄膜厚度的均匀性。根据本发明的基板处理方法和基板处理设备的有益之处在于气体仅供应到一个室以便能够仅在该一个室中执行处理,或者不同的气体同时供应到各个室以便能够在各个室中执行不同的处理,由此在每个处理室中薄膜可以沉积成具有均匀的厚度,并且能提高气体供应效率。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的