[发明专利]用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备在审
| 申请号： | 202080089400.8 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114868224A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | M.伦达尔;R.格鲁亚 | 申请（专利权）人： | 戴森技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C14/35;H01J37/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张邦帅 |
| 地址： | 英国威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于将靶材料溅射沉积到基底的设备。在一种形式中，该设备包括在使用中在其中提供基底的基底部分和在使用中在其中提供靶材料的靶部分。靶部分和基底部分在它们之间限定沉积区。该设备包括在使用中用于产生等离子体的天线装置和限制装置。限制装置包括天线装置和沉积区之间的第一元件以及第二元件。天线装置位于第二元件和沉积区之间。第一元件在使用中将等离子体限制成朝向沉积区，以提供靶材料到基底的溅射沉积。第二元件在使用中将等离子体限制成远离第二元件，朝向天线装置，并且经由第一元件朝向沉积区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 材料 溅射 沉积 基底 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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