[发明专利]蚀刻包括薄表面层的基板以改善所述层的厚度均匀性的方法在审
| 申请号: | 202080086896.3 | 申请日: | 2020-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN114830302A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
| 发明(设计)人: | L·维拉沃克斯;S·卡顿;O·罗斯 | 申请(专利权)人: | 索泰克公司 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 师玮;党晓林 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种对基板(1)的薄层(11)的主表面(1a)进行蚀刻的方法,该方法包括:将基板(1)浸入蚀刻槽中,以便将主表面(1a)暴露于蚀刻剂,基板(1)按照如下方式相对于槽(100)定向,以补偿薄层(11)的厚度非均匀性:‑当基板(1)被引入到槽(100)中时,主表面(1a)按照引入速度从初始引入点(PII)逐渐浸入到最终引入点(PFI),并且‑当基板(1)从槽(100)退出时,主表面(1a)按照退出速度从初始退出点(PIS)逐渐显现到最终退出点(PFS),该方法的特征在于:‑按照根据初始引入点(PII)与最终引入点(PFI)之间的第一非均匀剖面蚀刻主表面(1a)的方式来选择引入速度,和/或‑按照根据初始退出点(PIS)与最终退出点(PFS)之间的第二非均匀剖面蚀刻主表面(1a)的方式来选择退出速度。 | ||
| 搜索关键词: | 蚀刻 包括 表面 改善 厚度 均匀 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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