[发明专利]蚀刻包括薄表面层的基板以改善所述层的厚度均匀性的方法

权利要求书

1.一种对包括表面薄层(11)的基板(1)的主表面(1a)进行蚀刻的方法，所述主表面(1a)对应于所述薄层(11)的自由面，所述方法包括以下步骤：将所述基板(1)浸入蚀刻槽(100)中，以便将所述主表面(1a)暴露于蚀刻剂，所述基板(1)按照如下方式相对于所述槽(100)定向，以补偿所述薄层(11)的厚度的非均匀性：

-当所述基板(1)被引入(I)到所述槽(100)中时，所述主表面(1a)按照引入速度从初始引入点(PII)逐渐浸入到最终引入点(PFI)，并且

-当所述基板(1)从所述槽(100)移除(S)时，所述主表面(1a)按照移除速度从初始移除点(PIS)逐渐显现到最终移除点(PFS)，

所述方法的特征在于：

-按照根据所述初始引入点(PII)与所述最终引入点(PFI)之间的第一非均匀剖面蚀刻所述主表面(1a)的方式来选择所述引入速度，和/或

-按照根据所述初始移除点(PIS)与所述最终移除点(PFS)之间的第二非均匀剖面蚀刻所述主表面(1a)的方式来选择所述移除速度。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

-所述第一蚀刻剖面限定了所述初始引入点(PII)与所述最终引入点(PFI)之间的、在所述主表面(1a)上蚀刻的大于或等于0.15nm或甚至大于或等于0.2nm的厚度变化，和/或

-所述第二蚀刻剖面限定了所述初始移除点(PIS)与所述最终移除点(PFS)之间的、在所述主表面(1a)上蚀刻的大于或等于0.15nm或甚至大于或等于0.2nm的厚度变化。

3.根据前述权利要求中的一项所述的蚀刻方法，其中，所述初始引入点(PII)对应于所述最终移除点(PFS)，并且所述最终引入点(PFI)对应于所述初始移除点(PIS)。

4.根据前述权利要求中的一项所述的蚀刻方法，其中，所述引入速度和/或所述移除速度在25cm/s至0.1cm/s之间，优选地，在10cm/s至0.5cm/s之间。

5.根据前述权利要求中的一项所述的蚀刻方法，其中，当将所述基板(1)引入所述槽(100)中和从所述槽(100)取出时，所述引入速度和/或所述移除速度分别是非恒定的。

6.根据前述权利要求中的一项所述的蚀刻方法，其中，所述蚀刻槽(100)包含SC1(“标准清洁1”)溶液，所述SC1溶液具有比例分别为1/2/20的氨、过氧化氢和去离子水。

7.根据前述权利要求中的一项所述的蚀刻方法，其中，所述基板(1)是SOI基板，所述SOI基板的表面薄层(11)具有小于50nm的厚度，并且被布置在绝缘层(30)上，所述绝缘层(30)被布置在由硅制成的载体基板(20)上。

8.根据权利要求6或7所述的蚀刻方法，其中，所述薄层(11)是由单晶硅制成的。