[发明专利]具有改进的短路耐受时间的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202080070820.1 | 申请日： | 2020-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN114556589A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 世亨·柳 | 申请（专利权）人： | 沃孚半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王红艳 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件(10)包括衬底(12)、漂移层(14)、阱区(16)和源极区(18)。衬底(12)具有第一导电类型。漂移层(14)具有第一导电类型并且位于衬底(12)上。阱区(16)具有与第一导电类型相对的第二导电类型并且设置沟道区(28)。源极区(18)位于阱区(16)中并且具有第一导电类型。沿着与衬底(12)相对的漂移层(14)的表面的阱区(16)的掺杂浓度是可变的，使得阱区(16)包括在距源极区(18)和阱区(16)之间的结一定距离处的掺杂浓度增加的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 短路 耐受 时间 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沃孚半导体公司，未经沃孚半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080070820.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
