[发明专利]具有改进的短路耐受时间的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

·衬底，所述衬底具有第一导电类型；

·所述衬底上的漂移层，所述漂移层具有所述第一导电类型；

·所述漂移层中的阱区，其中：

·所述阱区具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型；并且

·所述阱区设置沟道区；以及

·所述阱区中的源极区，其中：

·所述阱区在所述源极区和所述漂移层之间；

·所述源极区具有所述第一导电类型；并且

·沿着与所述衬底相对的所述漂移层的表面的所述阱区的掺杂浓度是非均匀的，使得所述阱区的掺杂浓度沿着与所述衬底相对的所述漂移层的所述表面变化。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沿着与所述衬底相对的所述漂移层的所述表面的所述阱区的掺杂浓度与所述源极区和所述阱区之间的界面之间的距离成比例地增加，使得所述掺杂浓度的增加朝向沿着与所述衬底相对的漂移区的所述表面的所述阱区和所述漂移区之间的界面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阱区包括与所述源极区和所述阱区之间的界面间隔一定距离的掺杂浓度增加的区域，使得所述掺杂浓度增加的区域沿着所述阱区和漂移区之间的界面定位。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述阱区内的所述掺杂浓度增加的区域的掺杂浓度比所述阱区的剩余部分的掺杂浓度大1.1至250倍。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述阱区内的所述掺杂浓度增加的区域的掺杂浓度在2×10¹⁷至5×10¹⁹cm^-3之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述阱区的所述剩余部分的掺杂浓度在5×10¹⁵至5×10¹⁷cm^-3之间。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述掺杂浓度增加的区域与所述源极区和所述阱区之间的界面之间的距离在0.2至2μm之间。

8.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，沿着与所述衬底相对的所述漂移层的所述表面的所述阱区的掺杂浓度在所述源极区与所述阱区之间的界面和所述阱区与所述漂移区之间的界面之间以线性方式变化。

9.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，沿着与所述衬底相对的所述漂移层的所述表面的所述阱区的掺杂浓度在所述源极区与所述阱区之间的界面和所述阱区与所述漂移区之间的界面之间以阶梯方式变化。

10.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，沿着与所述衬底相对的所述漂移层的所述表面的所述阱区的掺杂浓度在所述源极区与所述阱区之间的界面和所述阱区与所述漂移区之间的界面之间以指数方式变化。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：

·在与所述漂移层相对的所述衬底的表面上的漏极接点；

·在与所述衬底相对的所述漂移层的所述表面上的源极接点，使得所述源极接点与所述源极区和所述阱区接触；

·在与所述衬底相对的所述漂移层的所述表面上的栅极氧化层，使得所述栅极氧化层与所述阱区和所述源极区接触并且与所述源极接点分隔开，其中，所述MOSFET的沟道区在所述阱区中的所述栅极氧化层下面；以及

·所述栅极氧化层上的栅极接点。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极区的深度是非均匀的。