[发明专利]具有基于沟槽的金属-绝缘体-金属电容器的IC在审
| 申请号： | 202080062936.0 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN114342063A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | M·M·伊萨;U·阿古尔拉姆;P·马哈灵音;E·W·金德;B·斯里尼瓦桑;B·E·古德林 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种集成电路(IC)(200)，其包含衬底(208)的半导体表面层(209)，所述半导体表面层(209)包含形成在所述半导体表面层中的连同金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器(220)一起配置的电路系统(180)。所述半导体表面层上的多层金属堆叠包含包括底部电容器板触点(240a)的底部板接触金属层(240)。第一层级间电介质(ILD)层(218)在所述底部板接触金属层上方。所述MIM电容器包含所述底部电容器板触点上方的所述第一ILD层中的沟槽，其中所述沟槽由其上具有电容器电介质层(222a)的底部电容器板(221a)内衬，且顶部电容器板在所述电容器电介质层上。填充材料填充所述沟槽以形成经填充沟槽(225)。第二ILD层(219)在上方，包含在所述经填充沟槽上方。穿过所述第二层ILD层的经填充通路(245a)提供与所述顶部电容器板上的顶部板触点(224a)的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基于 沟槽 金属 绝缘体 电容器 ic | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司，未经德州仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080062936.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
