[发明专利]由单晶硅制备半导体晶片的方法在审
| 申请号： | 202080060895.1 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN114302981A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | W·霍维泽尔;K·曼格尔贝格尔;J·费特尔赫费尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/30 | 分类号： | C30B15/30;C30B29/06;C30B30/04;C30B15/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及由单晶硅制备半导体晶片的方法，包括从坩埚中包含的熔体拉制单晶硅的圆柱形部分；对所述熔体施加水平磁场；在所述单晶的圆柱形部分的拉制期间，以旋转速度和旋转方向旋转所述坩埚；并且从所述单晶的所述圆柱形部分中分离单晶硅的所述半导体晶片。所述方法的特征在于旋转速度随时间平均的值小于1rpm，并且持续地改变所述旋转方向，并且改变所述旋转方向之前和之后的所述旋转速度的幅度不小于0.5rpm且不大于3.0rpm。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制备 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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