[发明专利]晶体管及形成集成电路系统的方法在审
| 申请号： | 202080056191.7 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN114207841A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 刘鸿威;S·查杰德;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极/漏极区之间的沟道区，及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的所述至少一个内的所有晶粒具有彼此相差在0.064pm |
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| 搜索关键词： | 晶体管 形成 集成电路 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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