[发明专利]含硅膜的热原子层沉积

摘要

氧化硅、氮化硅和氮氧化硅膜可以通过热原子层沉积(热ALD)在单晶片等离子体反应器中沉积。单晶片等离子体反应器可以执行热ALD和等离子体增强原子层沉积(PEALD)。使用热ALD可以以高沉积速率沉积高度共形薄膜，而不会损坏衬底或对衬底造成最小损坏。在氧化和/或氮化过程中，衬底可以在升高的温度下加热。在一些实施方案中，升高的温度介于约500℃和约750℃之间。在一些实施方案中，氢气和氧气可以在氧化期间作为反应物气体流动，其中氢气和氧气可以在放热反应中反应以驱动氧化物的形成。