[发明专利]具有发射电磁辐射的半导体器件的装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202080054873.4 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN114175286A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | T·施瓦茨;S·威特曼;A·普洛斯尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/00;H01L25/075 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 说明了一种装置（1），具有多个光电子半导体器件（10）、耦合输出元件（20）、电绝缘的绝缘层（30）和电连接结构（40）。所述半导体器件（10）布置在一个共同的平面中，并且每个半导体器件（10）都由侧面（10A）横向界定。所述半导体器件（10）分别具有半导体主体（100），具有被设置用于发射电磁辐射的活性区域（2000），用于耦合输出所述电磁辐射的辐射出射侧（100A），与所述辐射出射侧（100A）相对的背侧（100B），和布置在所述背侧（100B）上的接触结构（101）。所述绝缘层（30）布置在相邻半导体器件（10）的侧面（10A）之间，并且被实施为吸收或反射所述活性区域（2000）中产生的辐射。所述耦合输出元件（20）布置在所述半导体器件（10）的辐射出射侧（100A），所述电连接结构（40）布置在所述半导体器件（10）的面向所述背侧（100B）的侧上，并与所述接触结构（101）导电连接。还说明了一种用于制造装置（1）的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 发射 电磁辐射 半导体器件 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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