[发明专利]用于CVD反应器的基座的加热装置在审
申请号: | 202080036724.5 | 申请日: | 2020-03-24 |
公开(公告)号: | CN113840944A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | H.蒋;F.M.A.克劳利 | 申请(专利权)人: | 艾克斯特朗欧洲公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C14/54;C30B25/10;H01L21/67;H05B3/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王瑞 |
地址: | 德国黑*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于加热CVD反应器(10)的基座的装置(1),所述装置具有至少三个基本上相同尺寸的、围绕中心(Z)布置的加热面(2)。所述加热面(2)由在平面中在构成并排地延伸的边腿(4)的情况下蜿蜒地延伸的加热元件(3)构成。重要的是,所述边腿(4)具有边腿区段(5),所述边腿区段平行于边界线(a、b、c)延伸,所述边界线沿着在径向上在加热面(2)之间延伸的边界延伸。这样构造的加热装置由圆弧形的第二加热装置包围。 | ||
搜索关键词: | 用于 cvd 反应器 基座 加热 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的