[发明专利]选择性化学机械平面化抛光在审
| 申请号： | 202080032203.2 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113767155A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 史晓波;李家乾;M·L·奥内尔 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K3/14;B24B37/04;H01L21/3105;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 化学机械平面化(CMP)抛光组合物、方法和系统用于以合理的高去除速率抛光低k或超低k膜，同时以相对低的去除速率抛光氧化物和氮化物膜。该组合物使用5磨料、化学添加剂以提高低k或超低k膜的去除速率并抑制氧化物和氮化物膜的去除速率，以实现高选择性，例如低‑：TEOS、超低k:TEOS和低k:SiN或超低k:SiN。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 化学 机械 平面化 抛光 | ||
【主权项】：
暂无信息
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