[发明专利]一种用于半导体制造的洁净室系统的多级电场除尘方法及半导体制造方法在审

专利信息
申请号: 202080030933.9 申请日: 2020-04-24
公开(公告)号: CN113727782A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 唐万福;赵晓云;王大祥;段志军;邹永安;奚勇 申请(专利权)人: 上海必修福企业管理有限公司
主分类号: B03C3/40 分类号: B03C3/40;A61L9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201112 上海市闵*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种用于半导体制造的洁净室系统的多级电场除尘方法及半导体制造方法,所述多级电场除尘方法包括如下步骤:使气体通过多级电场除尘系统串联的每个电场装置;给每个电场装置施加电压,所述电压足以确保电场除尘系统总除尘效率(100%‑(100%‑P1%)*(100%‑P2%)*……*(100%‑Pn%))大于或等于一个预定值,并且臭氧输出量小于或等于一个预定值,其中,P1%、P2%……Pn%依次分别为第1级、第2级、……第n级电场装置的除尘效率,n为大于1的整数;将除尘后的气体输入洁净室。该方法在高流速下实现颗粒物有效脱除,所需的电场装置体积小,成本低,且可降低运行电费,同时臭氧输出量控制一定范围内,满足半导体制造环境的要求。
搜索关键词: 一种 用于 半导体 制造 洁净室 系统 多级 电场 除尘 方法
【主权项】:
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