[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080016140.1 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN113474897A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 柳泽悠一;池田寿雄;村川努 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李雪春;阎文君 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种生产率高的半导体装置。提供一种包括第一及第二晶体管以及第一及第二电容器的半导体装置。第一及第二晶体管包括栅电极及背栅电极。第二晶体管设置在第一晶体管的上方的层，第二电容器设置在第一电容器的上方的层。第一电容器的一个电极与第一晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接，并与第二晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。第一电容器的另一个电极形成在与第二晶体管的背栅电极相同的层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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