[发明专利]氧化硅选择性干式刻蚀工艺有效
| 申请号： | 202080005199.0 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112789711B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张祺;吕新亮;仲華;杨海春 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人： | 崔晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于处理工件的系统和方法。在一个实施例中，方法包括当工件在第一温度时，将工件暴露于第一气体混合物以进行掺杂的硅酸盐玻璃刻蚀工艺。第一气体混合物可包括氢氟酸(HF)蒸汽。掺杂的硅酸盐玻璃刻蚀工艺以第一刻蚀速率至少部分去除掺杂的硅酸盐玻璃层，第一刻蚀速率大于与至少一种第二层的去除相关的第二刻蚀速率。方法可包括将工件加热至第二温度。第二温度大于第一温度。方法可包括当工件在第二温度时，将工件暴露于第二气体混合物以从工件去除残留物。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 选择性 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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