[发明专利]通过XTACKING形成的用以提高存储器阵列效率并且实现缩放的新型3D交叉点存储器结构在审
申请号: | 202080002658.X | 申请日: | 2020-10-13 |
公开(公告)号: | CN112385038A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 林锦辉 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提出了一种用于三维交叉点存储器的新型存储器接触方案,与某些已知接触方案相比,其允许在芯片或晶片上每单位面积更大的存储器密度。一种芯片包括支撑第一电子元件和第一多个垂直互连通道的第一晶片,第一电子元件包括位线解码器和字线解码器中的任何一个或者任何组合。该芯片还包括支撑第二电子元件和第二多个垂直互连通道的第二晶片,第二电子元件包括数据阵列。第一电子元件通过第一多个垂直互连通道和第二多个垂直互连通道与第二电子元件电子通信。在与数据阵列不同的晶片上提供字线或位线将提供提高的阵列效率、改善的路由以及更高的缩放灵活性。 | ||
搜索关键词: | 通过 xtacking 形成 用以 提高 存储器 阵列 效率 并且 实现 缩放 新型 交叉点 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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