[发明专利]用于三维存储器的阶梯结构有效
| 申请号: | 202080000332.3 | 申请日: | 2020-02-18 |
| 公开(公告)号: | CN111373531B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
| 发明(设计)人: | 刘磊;周文犀;夏志良 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/11521 | 分类号: | H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 赵磊;刘柳 |
| 地址: | 430223 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 公开了一种用于三维(3D)存储器设备的阶梯结构。在一些实施例中,所述方法包括在衬底上设置交替的电介质堆叠,其中第一电介质层和第二电介质层交替地堆叠在彼此的顶部上。接下来,可以在阶梯区域中形成多个分割块。每个分割块包括在第一方向上的第一多个阶梯台阶。沿着第一方向的每个阶梯台阶具有两个或更多个电介质层对。然后,可以形成沿着垂直于第一方向的第二方向的第二多个阶梯台阶。沿着第二方向的每个阶梯台阶包括沿着第一方向的第一多个阶梯台阶。所述方法还包括在多个分割块之间形成偏移数量的电介质层对,使得每个电介质层对是从阶梯台阶的顶表面可接入的。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 三维 存储器 阶梯 结构 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





