[发明专利]用于三维存储器的阶梯结构

权利要求书

1.一种用于形成三维(3D)存储结构的方法，包括：

在衬底上设置交替的电介质堆叠，其中，所述交替的电介质堆叠包括在彼此顶部上交替堆叠的第一电介质层和第二电介质层；

在第一阶梯区域和第二阶梯区域之间形成一个或多个偏移台阶，其中，所述第一阶梯区域和所述第二阶梯区域位于沟道结构区域的相对侧上；

在相应的第一阶梯区域和第二阶梯区域中沿着第一方向形成第一多个阶梯台阶和第二多个阶梯台阶，其中，所述第一多个阶梯台阶和所述第二多个阶梯台阶中的每个阶梯台阶包括两个或更多个电介质层对，每个电介质层对包括一个第一电介质层和一个第二电介质层，并且其中，沿着所述第一方向形成所述第一多个阶梯台阶和所述第二多个阶梯台阶包括：在相应的第一阶梯区域和第二阶梯区域中形成第一分割块集合和第二分割块集合，所述第一分割块集合和所述第二分割块集合在所述第一方向上重复，并在所述第二方向上延伸，并且其中，所述第一分割块集合提供对偶数电介质层或电介质层对的接入，所述第二分割块集合提供对奇数电介质层或电介质层对的接入；以及

在相应的第一阶梯区域和第二阶梯区域中沿着第二方向形成第三多个阶梯台阶和第四多个阶梯台阶，其中

所述第二方向垂直于所述第一方向，

沿着所述第二方向的所述第三多个阶梯台阶中的每个阶梯台阶包括沿着所述第一方向的所述第一多个阶梯台阶，以及

沿着所述第二方向的所述第四多个阶梯台阶中的每个阶梯台阶包括沿着所述第一方向的所述第二多个阶梯台阶，

其中，在所述第一方向上的所述第一多个阶梯台阶包括N数量的阶梯台阶，并且所述第一多个阶梯台阶中的每个阶梯台阶包括L数量的电介质层对，并且在所述第二方向上的所述第二多个阶梯台阶中的每个阶梯台阶包括M数量的电介质层对，其中，M是N和L的乘积，并且其中，对每个第二电介质层的接入是在所述第一阶梯区域和所述第二阶梯区域之间交替的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述一个或多个偏移台阶包括：在所述交替的电介质堆叠上形成阶梯掩模以覆盖所述第一阶梯区域并暴露所述第二阶梯区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成一个或多个偏移台阶还包括：在相应的第一多个阶梯台阶和第三多个阶梯台阶下方N_offset数量的电介质层对处形成所述第二多个阶梯台阶和所述第四多个阶梯台阶，使得每个电介质层对是从阶梯台阶的顶表面可接入的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一方向上形成所述第一多个阶梯台阶和所述第二多个阶梯台阶包括：在所述第一多个阶梯台阶和所述第二多个阶梯台阶中的每个阶梯台阶中形成两个电介质层对。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述形成一个或多个偏移台阶包括：在相应的第一多个阶梯台阶和第三多个阶梯台阶下方N_offset数量的电介质层对处形成所述第二多个阶梯台阶和所述第四多个阶梯台阶，N_offset是奇数整数。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，沿着所述第一方向形成所述第一多个阶梯台阶和所述第二多个阶梯台阶包括：使用重复的蚀刻削减工艺。