[实用新型]一种可控温的刻蚀设备有效
| 申请号： | 202023140061.8 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN214043609U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 金铉洙 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 归莹;沈寒酉 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种可控温的刻蚀设备；该设备可以包括：冷却管道、用于驱动气液两相冷却剂在所述冷却管道内循环的循环装置，以及刻蚀槽；其中，所述冷却管道布设于所述刻蚀槽的内壁、外壁和底部中的至少一个部分；所述循环装置将呈液态的所述气液两相冷却剂供给至所述冷却管道，所述冷却管道内呈液态的所述气液两相冷却剂基于气化吸收所述刻蚀槽内的刻蚀液的热量以降低所述刻蚀液的温度，形成气态的所述气液两相冷却剂；所述循环装置从所述冷却管道收集所述气态的气液两相冷却剂，以及将所述气态的气液两相冷却剂转化为所述呈液态的气液两相冷却剂，以及将转化完成后的所述呈液态的气液两相冷却剂供给至所述冷却管道。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司，未经西安奕斯伟硅片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202023140061.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种L型铝型材弯弧模具
- 下一篇：一种普外科用清创装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
