[实用新型]整流桥堆装置和半导体器件有效
| 申请号： | 202023019883.0 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN213635972U | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 杨旭日;赵宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市旭昌辉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L25/07;H01L29/861 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 田丽丽 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种整流桥堆装置及半导体器件，整流桥堆装置包括用于电连接的引出框架、层叠至所述引出框架上方的二极管芯片和连接所述引出框架与所述二极管芯片的连接线，所述二极管芯片包括分别设置于二极管芯片两侧的P电极和N电极，所述N电极通过结合材与所述引出框架相连接；所述连接线的一端与所述P电极相连接；所述连接线的另一端与所述引出框架相连接。本实用新型的整流桥堆装置不仅能使二极管芯片精准定位，而且避免结合材对P电极的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 整流 装置 半导体器件 | ||
【主权项】：
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