[实用新型]一种SiC基MOS器件有效
| 申请号： | 202022768415.7 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN213242540U | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王金秋;关世瑛 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种SiC基MOS器件，包括金属散热底板，所述金属散热底板开设有凹槽，所述凹槽放置有MOS管主体，所述MOS管主体包括引脚，所述金属散热底板开设有两个扣槽，两个所述扣槽开设有滑槽，所述滑槽滑动匹配有压块，所述压块与滑槽之间连接有弹簧，所述金属散热底板铰接有金属散热盒盖，所述金属散热盒盖两侧及顶部均设有散热片，所述金属散热盒盖顶部开设有散热孔，所述金属散热盒盖开设有插槽，所述插槽匹配有吸尘网，所述金属散热盒盖开设有与引脚位置对应的让孔，所述金属散热盒盖连接有两个位置对应扣槽的Z型扣块。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mos 器件 | ||
【主权项】：
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