[实用新型]一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片

摘要

本实用新型公开了一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片，包括：衬底；耗尽层，形成于所述衬底上；深p型沟道，横向设置于所述耗尽层内；n型硅体，横向设置于所述耗尽层内且位置所述深p型沟道上方；间隔排列在所述n型硅体上方且位置耗尽层内的第一n型重掺杂区、p型重掺杂区、第二n型重掺杂区；p型掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述第二n型重掺杂区间隔设置；第三n型重掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述p型掺杂区间隔设置；阴极环，设置于耗尽层内，与第三n型重掺杂区间隔设置。本实用新型将超大面积硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成在一个芯片上，大大减少封装的难度，以及芯片集成时所占的面积，且便于探测器与场效应管的参数调节。