[实用新型]一种具有碳化硅复合膜的高性能紫外光线探测器有效
申请号: | 202021803265.2 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN212648260U | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 陈宇;严丽红;辛藤 | 申请(专利权)人: | 张家港迪源电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0203;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 吴倩 |
地址: | 215600 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型适用于紫外光线探测器领域,提供了一种具有碳化硅复合膜的高性能紫外光线探测器,包括壳体、碳化硅复合膜本体和盖板,所述壳体的内部安装有固定板,且固定板的上方安装有第一玻璃板,所述碳化硅复合膜本体安装在第一玻璃板的上方位置,所述盖板安装在碳化硅复合膜本体的上方位置,且盖板的底部连接有限位板,所述限位板的外侧粘贴连接有橡胶垫,所述壳体的外表面固定安装有限位块,所述微处理器的右侧安装有承载杆,所述壳体的内壁镶嵌安装有第二玻璃板。该具有碳化硅复合膜的高性能紫外光线探测器,能够避免装置破碎,而且具有碳化硅复合膜,同时能够对内部零件进行保护。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 碳化硅 复合 性能 紫外 光线 探测器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张家港迪源电子科技有限公司,未经张家港迪源电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202021803265.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的