[实用新型]一种可以改善外延过程中毛边缺陷的硅片结构有效
| 申请号： | 202021004322.0 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN211929434U | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吴泓明;钟佑生;黄郁璿 | 申请（专利权）人： | 郑州合晶硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 张晓萍 |
| 地址： | 450000 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请属于半导体硅片结构设计技术领域，具体涉及一种硅片结构专利申请。从正面至背面，结构依次为：硅片、硅片背面吸杂层，以及在吸杂层外部的若干层交替覆盖或重叠覆盖的具有保护作用的氧化层和无序硅晶格层；硅片为单晶硅片；吸杂层为多晶硅层或者通过机械损伤方式所形成的具有吸杂作用的层结构；氧化层为二氧化硅层；无序硅晶格层为多晶硅、碳化硅或氮化硅。技术原理为：利用其无序硅晶格散乱无序的理化特点，当生长外延层时，可使晶核成长过程中的成长速率及方向相互牵制而无法长大成核。采用这种新的背面结构设计后，较好克服了制备外延层过程中的毛边缺陷问题，对于提高最终硅片产品良率具有较为积极的技术意义和较为实用的生产价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可以 改善 外延 过程 毛边 缺陷 硅片 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
