[实用新型]一种可以改善外延过程中毛边缺陷的硅片结构

权利要求书

1.一种可以改善外延过程中毛边缺陷的硅片结构，其特征在于，从正面至背面，其结构依次为：硅片、硅片背面吸杂层，以及在吸杂层外部的若干层交替覆盖或重叠覆盖的具有保护作用的氧化层和无序硅晶格层；

所述硅片，为单晶硅片；

所述吸杂层，为多晶硅层或者通过机械损伤方式所形成的具有吸杂作用的层结构；

所述氧化层，为二氧化硅层;

所述无序硅晶格层，为多晶硅、碳化硅或氮化硅。

2.如权利要求1所述可以改善外延过程中毛边缺陷的硅片结构，其特征在于，所述硅片厚度为600µm~800µm；

所述吸杂层，采用多晶硅层时厚度为3000Å~15000 Å；

所述氧化层，厚度为2400Å~11000 Å；

所述无序硅晶格层，厚度为3000Å~15000 Å。

3.如权利要求1或2所述可以改善外延过程中毛边缺陷的硅片结构，其特征在于，包括硅片和吸杂层的总层数为4~6层，具体结构为：

硅片→吸杂层→氧化层→无序硅晶格层；

或者为：硅片→吸杂层→无序硅晶格层→氧化层；

或者为：硅片→吸杂层→氧化层→氧化层→无序硅晶格层；

或者为：硅片→吸杂层→氧化层→无序硅晶格层→无序硅晶格层；

或者为：硅片→吸杂层→无序硅晶格层→无序硅晶格层→氧化层；

或者为：硅片→吸杂层→无序硅晶格层→氧化层→无序硅晶格层；

或者为：硅片→吸杂层→氧化层→氧化层→无序硅晶格层→无序硅晶格层；

或者为：硅片→吸杂层→氧化层→无序硅晶格层→氧化层→无序硅晶格层；

或者为：硅片→吸杂层→氧化层→无序硅晶格层→无序硅晶格层→氧化层；

或者为：硅片→吸杂层→无序硅晶格层→氧化层→氧化层→无序硅晶格层；

或者为：硅片→吸杂层→无序硅晶格层→无序硅晶格层→氧化层→氧化层；

或者为：硅片→吸杂层→无序硅晶格层→氧化层→无序硅晶格层→氧化层。