[实用新型]一种650V高压VDMOS器件有效
| 申请号： | 202021003969.1 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN212161823U | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 冯羽;张峰 | 申请（专利权）人： | 杭州华芯微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京博维知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11486 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江干区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种650V高压VDMOS器件，包括金属场版，金属场版位于高压VDMOS器件的顶层，所述金属场版的尺寸为2460um*2460um，金属场版表面经过腐蚀形成一圈H非金属区和一圈F非金属区；所述H非金属区、F非金属区均为等宽非金属区；所述H非金属区、F非金属区均在金属版场的四角上平滑过渡，对应形成过渡部H1、过渡部F1。本申请在解决耐压测试打火问题的同时不改变芯片面积，成本不会增加，同时还大大提升了高压VDMOS的良品率，良品率可以达到95％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 650 高压 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
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